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PHX27NQ11T

更新时间： 2024-11-21 20:10:31

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	95K
描述
TRANSISTOR 20.8 A, 110 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3, FET General Purpose Power

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PHX27NQ11T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	90 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	110 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20.8 A	最大漏极电流 (ID)：	20.8 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	83.4 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PHX27NQ11T 数据手册

PHX27NQ11T

N-channel TrenchMOS™ standard level FET

Rev. 01 — 14 May 2004

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a fully isolated encapsulated

plastic package using TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Low on-state resistance

■ Isolated package.

1.3 Applications

■ DC-to-DC converters

■ Switched-mode power supplies.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 110 V

■ P_tot≤ 50 W

■ I_D≤ 20.8 A

■ R_DSon≤ 50 mΩ.

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT186A (TO-220F) simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

drain (d)

source (s)

mounting base;

isolated

mbb076

2 3

MBK110

SOT186A (TO-220F)

12 3 4 5 6 7...12

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