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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-220 | 包装说明： | PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.17 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | FAST SWITCHING |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 25 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 41 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 130 ns | 最大开启时间（吨）： | 80 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHP3055ET/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 10.3 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, |
|
| PHP3055L | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Logic level FET |
|
| PHP3055L/B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MOSFET TO-220 |
|
| PHP3055L127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 12 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpo |
|
| PHP30H1 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 7500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon |
|
| PHP30H1 | PROTEC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 7500W, 42.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H |
|
| PHP30H2 | PROTEC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 7500W, 42.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H |
|
| PHP30H3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 7500W, 42.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HE |
|
| PHP30NQ15T | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor |
|
| PHP32N06L | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field effect transistor |
|
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