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PHP2N60

更新时间： 2024-01-25 16:34:05
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 53K
描述
PowerMOS transistor

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PHP2N60 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.9 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

PHP2N60 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------  
PowerMOS transistor PHP2N60  
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
field-effect power transistor in a  
plastic envelope featuring high  
avalanche energy capability, stable  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
---------------- ------------------------------------------------------- ----------- -----------  
VDS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Drain-source on-state resistance  
600  
2.8  
83  
V
A
W
Ω
off-state  
characteristics,  
fast  
Ptot  
switching and high thermal cycling  
performance with low thermal  
resistance. Intended for use in  
Switched Mode Power Supplies  
(SMPS), motor control circuits and  
RDS(ON)  
4.4  
general  
applications.  
purpose  
switching  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
tab  
gate  
2
drain  
g
3
source  
tab drain  
1 2 3  
s
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
ID  
Continuous drain current  
Tmb = 25 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 100 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 25 ˚C  
-
-
-
-
-
-
-
2.8  
1.8  
11  
A
A
IDM  
PD  
Pulsed drain current  
Total dissipation  
A
Tmb = 25 ˚C  
83  
W
∆PD/∆Tmb Linear derating factor  
Tmb > 25 ˚C  
0.67  
± 30  
84  
W/K  
V
VGS  
EAS  
Gate-source voltage  
Single pulse avalanche  
energy  
V
DD ≤ 50 V; starting Tj = 25˚C; RGS = 50 Ω;  
VGS = 10 V  
DD ≤ 50 V; starting Tj = 25˚C; RGS = 50 Ω;  
VGS = 10 V  
mJ  
IAS  
Peak avalanche current  
V
-
2.2  
A
Tj, Tstg  
Operating junction and  
storage temperature range  
- 55  
150  
˚C  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Thermal resistance junction to  
-
-
1.5  
K/W  
mounting base  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
ambient  
-
60  
-
K/W  
April 1997  
1
Rev 1.001  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHP2N60E NXP

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