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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 12 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 50 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 70 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 60 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHP2N50 | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| PHP2N50E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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| PHP2N50E127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 2 A, 500 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose |
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| PHP2N60 | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| PHP2N60E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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| PHP30 | MICROSEMI |
获取价格 |
TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
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| PHP30 | SEMTECH |
获取价格 |
7,500 & 15,000 Watt TVS Module |
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| PHP30 | PROTEC |
获取价格 |
AC POWER BUS VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| PHP30 | SENSITRON |
获取价格 |
Transient Voltage Suppressor, Unidirectional |
|
| PHP30 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 7500W, 42.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PL |
|
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