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PHP2N40

更新时间： 2024-10-31 22:44:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 59K
描述
PowerMOS transistor

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PHP2N40 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (ID)：2.5 A
最大漏源导通电阻：3.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PHP2N40 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
PowerMOS transistor  
PHP2N40  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
field-effect power transistor in a  
plastic envelope featuring high  
avalanche energy capability, stable  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Drain-source on-state resistance  
400  
2.5  
50  
V
A
W
Ω
off-state  
characteristics,  
fast  
Ptot  
switching and high thermal cycling  
performance with low thermal  
resistance. Intended for use in  
Switched Mode Power Supplies  
(SMPS), motor control circuits and  
RDS(ON)  
3.5  
general  
applications.  
purpose  
switching  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
tab  
gate  
2
drain  
g
3
source  
tab drain  
1 2 3  
s
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
ID  
Continuous drain current  
Tmb = 25 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 100 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 25 ˚C  
-
-
-
-
-
-
-
2.5  
1.5  
10  
A
A
IDM  
PD  
Pulsed drain current  
Total dissipation  
A
Tmb = 25 ˚C  
50  
W
∆PD/∆Tmb Linear derating factor  
Tmb > 25 ˚C  
0.4  
± 30  
100  
W/K  
V
VGS  
EAS  
Gate-source voltage  
Single pulse avalanche  
energy  
V
DD ≤ 50 V; starting Tj = 25˚C; RGS = 50 Ω;  
VGS = 10 V  
DD ≤ 50 V; starting Tj = 25˚C; RGS = 50 Ω;  
VGS = 10 V  
mJ  
IAS  
Peak avalanche current  
V
-
2.5  
A
Tj, Tstg  
Operating junction and  
storage temperature range  
- 55  
150  
˚C  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Thermal resistance junction to  
-
-
2.5  
K/W  
mounting base  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
ambient  
-
60  
-
K/W  
June 1997  
1
Rev 1.000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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