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PHP28NQ15T

更新时间： 2024-11-01 06:00:31
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 216K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET

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PHP28NQ15T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC, SC-46, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.23
其他特性：FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：28.5 A
最大漏极电流 (ID)：28.5 A最大漏源导通电阻：0.065 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：57.1 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PHP28NQ15T 数据手册

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PHP28NQ15T  
N-channel TrenchMOS standard level FET  
Rev. 02 — 22 March 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic  
package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in  
computing, communications, consumer and industrial applications only.  
1.2 Features and benefits  
„ Increased efficiency during switching  
due to low body diode recovered  
charge  
„ Suitable for high frequency  
applications due to fast switching  
characteristics  
1.3 Applications  
„ Class-D audio amplifiers  
„ DC-to-AC inverters  
„ DC-to-DC convertors  
„ Switched-mode power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference  
Symbol Parameter  
Conditions  
drain-source voltage Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
Min  
Typ  
Max Unit  
VDS  
ID  
-
-
-
-
150  
V
A
drain current  
Tj = 25 °C; VGS = 10 V;  
see Figure 1 and 3  
28.5  
Ptot  
total power  
dissipation  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
-
-
-
150  
-
W
Dynamic characteristics  
QGD gate-drain charge  
VGS = 10 V; ID = 10 A;  
7.5  
nC  
VDS = 75 V; Tj = 25 °C;  
see Figure 12 and 11  
Static characteristics  
RDSon  
drain-source  
VGS = 10 V; ID = 18 A;  
-
54  
65  
mΩ  
on-state resistance  
Tj = 25 °C; see Figure 9 and 10  
1234567...13

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PHP28NQ15T 替代型号

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