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PHP28NQ15T

更新时间： 2024-02-12 03:03:49

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
13页	216K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET

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PHP28NQ15T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.23
其他特性：	FAST SWITCHING	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	28.5 A
最大漏极电流 (ID)：	28.5 A	最大漏源导通电阻：	0.065 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	57.1 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHP28NQ15T 数据手册

PHP28NQ15T

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 02 — 22 March 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Increased efficiency during switching

due to low body diode recovered

charge

Suitable for high frequency

applications due to fast switching

characteristics

1.3 Applications

Class-D audio amplifiers

DC-to-AC inverters

DC-to-DC convertors

Switched-mode power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

150

drain current

T_j= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1 and 3

28.5

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

150

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 10 A;

7.5

V_DS= 75 V; T_j= 25 °C;

see Figure 12 and 11

Static characteristics

R_DSon

drain-source

V_GS= 10 V; I_D= 18 A;

mΩ

on-state resistance

T_j= 25 °C; see Figure 9 and 10

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PHP28NQ15T,127	NXP	完全替代	PHP28NQ15T - N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin

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