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PHP28NQ15T,127

更新时间： 2024-09-26 15:47:51

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	202K
描述
PHP28NQ15T - N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin

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PHP28NQ15T,127 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220	包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.2	其他特性：	FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	28.5 A	最大漏极电流 (ID)：	28.5 A
最大漏源导通电阻：	0.065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	57.1 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PHP28NQ15T,127 数据手册

PHP28NQ15T

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 02 — 22 March 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Increased efficiency during switching

due to low body diode recovered

charge

Suitable for high frequency

applications due to fast switching

characteristics

1.3 Applications

Class-D audio amplifiers

DC-to-AC inverters

DC-to-DC convertors

Switched-mode power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

150

drain current

T_j= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1 and 3

28.5

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

150

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 10 A;

7.5

V_DS= 75 V; T_j= 25 °C;

see Figure 12 and 11

Static characteristics

R_DSon

drain-source

V_GS= 10 V; I_D= 18 A;

mΩ

on-state resistance

T_j= 25 °C; see Figure 9 and 10

12 3 4 5 6 7...13

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