PHP27NQ11T

更新时间： 2024-02-17 16:26:50

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管
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描述
N-channel TrenchMOS standard level FET

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PHP27NQ11T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	27.6 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	107 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

PHP27NQ11T 数据手册

PHP27NQ11T

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 02 — 4 March 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Higher operating power due to low

Low conduction losses due to low

thermal resistance

on-state resistance

1.3 Applications

DC-to-DC convertors

Switched-mode power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

110

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1 and 3

27.6

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

107

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 27 A;

V_DS= 80 V; T_j= 25 °C;

see Figure 11

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 14 A;

T_j= 25 °C; see Figure 9

and 10

mΩ

12 3 4 5 6 7...13

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