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PHP26N10E

更新时间： 2024-01-11 23:05:32
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 75K
描述
PowerMOS transistor

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PHP26N10E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84其他特性：FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：230 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：26 A最大漏源导通电阻：0.08 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：150 pF
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：104 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：240 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

PHP26N10E 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
PowerMOS transistor  
PHP26N10E  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
field-effect power transistor in a  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
plastic envelope featuring  
high  
VDS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Drain-source on-state resistance  
100  
26  
125  
0.08  
V
A
W
Ω
avalanche energy capability, stable  
blocking voltage, fast switching and  
high thermal cycling performance  
withlowthermalresistance. Intended  
for use in Switched Mode Power  
Supplies (SMPS), motor control  
circuits and general purpose  
switching applications.  
Ptot  
RDS(ON)  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
tab  
gate  
2
drain  
g
3
source  
tab drain  
1 2 3  
s
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
ID  
Continuous drain current  
Tmb = 25 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 100 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 25 ˚C  
-
-
-
-
-
-
-
26  
18  
104  
125  
0.833  
± 30  
230  
A
A
IDM  
PD  
Pulsed drain current  
Total dissipation  
A
Tmb = 25 ˚C  
W
∆PD/∆Tmb Linear derating factor  
Tmb > 25 ˚C  
W/K  
V
VGS  
EAS  
Gate-source voltage  
Single pulse avalanche  
energy  
V
DD ≤ 50 V; starting Tj = 25˚C; RGS = 50 Ω;  
VGS = 10 V  
DD ≤ 50 V; starting Tj = 25˚C; RGS = 50 Ω;  
VGS = 10 V  
mJ  
IAS  
Peak avalanche current  
V
-
26  
A
Tj, Tstg  
Operating junction and  
storage temperature range  
- 55  
175  
˚C  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
-
-
-
1.2  
-
K/W  
K/W  
mounting base  
Thermal resistance junction to  
ambient  
60  
February 1997  
1
Rev 1.000  
1234567

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与PHP26N10E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHP26N10E127 NXP

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 		TRANSISTOR 26 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
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