5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PSFM-X2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.29 | 最小击穿电压： | 418 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大钳位电压： | 652 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | R-PSFM-X2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 15000 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 7.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 354 V |
| 最大反向电流： | 250 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHP26N10E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| PHP26N10E127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 26 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp |
|
| PHP275 | PROTEC |
获取价格 |
AC POWER BUS VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| PHP275H2 | PROTEC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 390V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H |
|
| PHP275H3 | PROTEC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 390V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H |
|
| PHP27NQ10T | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor |
|
| PHP27NQ11T | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
|
| PHP27NQ11T,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin |
|
| PHP28NQ15T | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
|
| PHP28NQ15T | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FETProduction |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
