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Z0103MN0

更新时间： 2024-01-21 10:55:55

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恩智浦 - NXP		可控硅
页数	文件大小	规格书
15页	200K
描述
4Q Triac Direct interfacing to logic level ICs

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Z0103MN0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	1.09
其他特性：	SENSITIVE GATE	外壳连接：	MAIN TERMINAL 2
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1 A	断态重复峰值电压：	600 V
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC

Z0103MN0 数据手册

Z0103MN0

T223

4Q Triac

Rev. 01 — 3 January 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Planar passivated sensitive gate four quadrant triac in a SOT223 (SC-73)

surface-mountable plastic package intended for applications requiring enhanced immunity

to noise and direct interfacing to logic level ICs and low power gate drivers.

1.2 Features and benefits

 Direct interfacing to logic level ICs

 Enhanced current surge capability

 Enhanced noise immunity

 High blocking voltage capability

 Sensitive gate triggering in all four

quadrants

 Surface-mountable package

1.3 Applications

 General purpose low power motor

 Industrial process control

control

 Low power AC Fan controllers

 Home appliances

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DRM

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

repetitive peak

off-state voltage

600

I_TSM

non-repetitive

peak on-state

current

full sine wave; T_j(init)= 25 °C;

t_p= 20 ms; see Figure 4;

see Figure 5

12.5

I_T(RMS)

RMS on-state

current

full sine wave; T_sp≤ 103 °C;

see Figure 3; see Figure 1;

see Figure 2

12 3 4 5 6 7...15

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