BCM847BS

更新时间： 2024-01-30 22:35:01

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恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
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8页	46K
描述
NPN matched double transistor; DhFE = 10 %

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BCM847BS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

BCM847BS 数据手册

BCM847BS

NPN matched double transistor; ∆h_FE= 10 %

Rev. 02 — 6 April 2005

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

NPN matched double transistor in a SOT363 (SC-88) SMD plastic package. Matched

version of BC847BS. The transistors are fully isolated internally.

PNP equivalent: BCM857BS.

1.2 Features

■ Current gain matching

■ Base-emitter voltage matching

1.3 Applications

■ Current mirror

■ Differential ampliﬁer

1.4 Quick reference data

Table 1:

Symbol

V_CEO

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

collector-emitter voltage

collector current

open base

100

450

h_FE

DC current gain

V_CE= 5 V;

I_C= 2 mA

200

290

∆h_FE

∆V_BE

h_FEmatching

V_BEmatching

V_CE= 5 V;

I_C= 2 mA

V_CE= 5 V;

I_C= 2 mA

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