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74AUP1G332GM

更新时间： 2024-02-11 23:42:41

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恩智浦 - NXP		栅极触发器逻辑集成电路光电二极管
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18页	68K
描述
Low-power 3-input OR gate

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74AUP1G332GM 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-363
包装说明：	GREEN, PLASTIC, SC-88, SOT-363, SMT-6 PIN	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.5	系列：	AUP/ULP/V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
长度：	2 mm	负载电容（CL）：	30 pF
逻辑集成电路类型：	OR GATE	最大I（ol）：	0.0017 A
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
输入次数：	3	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP6,.08	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	包装方法：	TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	18.7 ns	传播延迟（tpd）：	18.7 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
座面最大高度：	1.1 mm	子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	0.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.2 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	1.25 mm

74AUP1G332GM 数据手册

74AUP1G332

Low-power 3-input OR gate

Rev. 01.00 — 27 February 2006

Preliminary data sheet

1. General description

The 74AUP1G332 is a high-performance, low-power, low-voltage, Si-gate CMOS device,

superior to most advanced CMOS compatible TTL families.

Schmitt-trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall

times across the entire V_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire

V_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device is fully speciﬁed for partial Power-down applications using I_OFF

The I_OFFcircuitry disables the output, preventing the damaging backﬂow current through

the device when it is powered down.

The 74AUP1G332 provides a single 3-input OR gate.

2. Features

■ Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V

■ High noise immunity

■ Complies with JEDEC standards:

◆ JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)

◆ JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)

◆ JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)

◆ JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)

◆ JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)

■ ESD protection:

◆ HBM JESD22-A114-C Class 3A. Exceeds 4000 V

◆ MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

◆ CDM JESD22-C101-C exceeds 1000 V

■ Low static power consumption; I_CC= 0.9 µA (maximum)

■ Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II

■ Inputs accept voltages up to 3.6 V

■ Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V_CC

■ I_OFFcircuitry provides partial Power-down mode operation

■ Multiple package options

■ Speciﬁed from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C

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与74AUP1G332GM相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
74AUP1G332GM,115	NXP	74AUP1G332 - Low-power 3-input OR-gate SON 6-Pin	获取价格
74AUP1G332GM-G	NXP	Low-power 3-input OR gate	获取价格
74AUP1G332GN	NEXPERIA	Low-power 3-input OR-gateProduction	获取价格
74AUP1G332GN,132	NXP	74AUP1G332 - Low-power 3-input OR-gate SON 6-Pin	获取价格
74AUP1G332GS	NEXPERIA	Low-power 3-input OR-gateProduction	获取价格
74AUP1G332GS,132	NXP	74AUP1G332 - Low-power 3-input OR-gate	获取价格

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