2N7002PW

更新时间： 2024-01-21 10:02:10

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恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 PC
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16页	165K
描述
60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET

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2N7002PW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

2N7002PW 数据手册

2N7002PW

60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET

Rev. 01 — 22 April 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small

SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using

Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

Logic-level compatible

Very fast switching

Trench MOSFET technology

AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

25 °C ≤ T_j≤ 150 °C

gate-source voltage

drain current

±20

300

T_amb= 25 °C;

V_GS= 10 V

R_DSon

drain-source on-state

resistance

T_j= 25 °C;

1.6

V_GS= 10 V;

I_D= 500 mA

12 3 4 5 6 7...16

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