5秒后页面跳转
2N7000 PDF预览

2N7000

更新时间: 2024-02-26 06:52:46
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
12页 80K
描述
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

2N7000 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.82
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):0.3 A
最大漏源导通电阻:5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-226AAJESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

2N7000 数据手册

 浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
2N7000  
N-channel enhancement mode  
vertical D-MOS transistor  
April 1995  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC13b  

与2N7000相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N7000/D ETC Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts

获取价格

2N7000/D10Z TI 200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

获取价格

2N7000/D11Z TI 200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

获取价格

2N7000/D27Z TI 200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

获取价格

2N7000/D29Z TI 200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

获取价格

2N7000/D74Z TI 200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

获取价格