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2N5550

更新时间: 2024-02-27 19:01:37
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 48K
描述
NPN high-voltage transistors

2N5550 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.69Is Samacsys:N
基于收集器的最大容量:6 pF集电极-发射极最大电压:140 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.25 VBase Number Matches:1

2N5550 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
2N5550; 2N5551  
NPN high-voltage transistors  
1999 Apr 23  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Apr 09  

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