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1N4448AMO

更新时间: 2024-02-03 23:10:56
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恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 59K
描述
0.15A, 75V, SILICON, SIGNAL DIODE

1N4448AMO 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.09
外壳连接:NONE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:2 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最大输出电流:0.15 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified参考标准:CECC50001-021
最大重复峰值反向电压:75 V最大反向电流:0.025 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N4448AMO 数据手册

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