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1N4446T/R

更新时间: 2024-01-21 21:00:56
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恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 132K
描述
DIODE 0.15 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, SUBMINIATURE PACKAGE-2, Signal Diode

1N4446T/R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.82
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:2 A元件数量:1
最高工作温度:200 °C最大输出电流:0.15 A
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.004 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

1N4446T/R 数据手册

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