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1N4446

更新时间: 2024-02-15 03:03:01
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恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 69K
描述
High-speed diodes

1N4446 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.67Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向电流:0.025 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N4446 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
1N4148; 1N4446; 1N4448  
High-speed diodes  
1996 Apr 15  
Product specification  
Supersedes data of April 1992  
File under Discrete Semiconductors, SC01  

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