生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.67 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1 V | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最大输出电流: | 0.2 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
最大功率耗散: | 0.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 100 V | 最大反向电流: | 0.025 µA |
最大反向恢复时间: | 0.004 µs | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1N4446.TR | TI | DIODE 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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1N4446/A52R | NXP | DIODE 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, SC-40, 2 PIN, Sig |
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1N4446136 | NXP | DIODE 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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1N4446-1E3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMETIC |
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1N4446BK | CENTRAL | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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1N4446BKLEADFREE | CENTRAL | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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