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1N4007IDT/R

更新时间: 2024-02-11 13:28:53
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 42K
描述
1A, 1000V, SILICON, SIGNAL DIODE

1N4007IDT/R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.58
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-609代码:e3
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

1N4007IDT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
1N4001G to 1N4007G  
Rectifiers  
1996 May 24  
Product specification  
Supersedes data of April 1992  

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