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1011LD110B

更新时间: 2024-02-01 09:40:59
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
130页 9375K
描述
RF Manual 16th edition

1011LD110B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:55QZ, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76Is Samacsys:N
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:65 VFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

1011LD110B 数据手册

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RF Manual 16th edition  
Application and design manual  
for High Performance RF products  
June 2012  

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