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PHE13003C

更新时间： 2024-09-27 01:24:03

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瑞能 - WEEN		开关晶体管
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11页	270K
描述
NPN power transistor

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PHE13003C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHE13003C 数据手册

PHE13003C

NPN power transistor

13 October 2016

Product data sheet

1. General description

High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor in a SOT54 (TO-92)

plastic package.

2. Features and benefits

•

Fast switching

•

High typical DC current gain

High voltage capability of 700 V

Very low switching and conduction losses

3. Applications

•

Compact fluorescent lamps (CFL)

Low power electronic lighting ballasts

Off-line self-oscillating power supplies (SOPS) for battery charging

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

I_C

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

1.5

Unit

collector current

P_tot

total power dissipation T_lead≤ 25 °C; Fig. 1

2.1

V_CESM

collector-emitter peak V_BE= 0 V

voltage

700

Static characteristics

h_FEDC current gain

I_C= 0.5 A; V_CE= 2 V; T_lead= 25 °C

I_C= 1 A; V_CE= 2 V; T_lead= 25 °C

12 3 4 5 6 7...11

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