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PHE13003AU

更新时间： 2024-09-25 22:26:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 52K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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PHE13003AU 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251
包装说明：PLASTIC, IPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.67
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PHE13003AU 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
PHE13003AU  
GENERAL DESCRIPTION  
High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in the SOT533 envelope intended for  
use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters and inverters, etc.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCBO  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
700  
700  
400  
1.5  
3
V
V
V
A
A
W
V
Collector-Base voltage (open emitter)  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
Ptot  
Tmb ≤ 25 ˚C  
50  
VCEsat  
hFE  
IC = 1.0 A;IB = 0.25 A  
IC = 1.0 A; VCE = 5 V  
IC = 1.0 A; IBON = 0.2 A  
1.0  
25  
150  
tfi  
Fall time (Inductive)  
ns  
PINNING - SOT533  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
c
base  
2
collector  
emitter  
b
3
1
2
3
tab collector  
e
Top view  
MBK915  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
VCBO  
IC  
Collector to emitter voltage  
VBE = 0 V  
-
700  
400  
700  
1.5  
3
0.75  
1.5  
50  
150  
150  
V
V
Collector to emitter voltage (open base)  
Collector to base voltage (open emitter)  
Collector current (DC)  
-
-
V
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
-
A
IB  
IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
A
Base current peak value  
Total power dissipation  
-
-
A
Tmb ≤ 25 ˚C  
W
˚C  
˚C  
Storage temperature  
-65  
-
Junction temperature  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Junction to mounting base  
Junction to ambient  
-
2.5  
-
K/W  
K/W  
in free air  
70  
September 1999  
1
Rev 1.000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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