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PHE13003A

更新时间： 2024-09-27 17:00:59

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瑞能 - WEEN		/
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13页	634K
描述
High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor in a SOT54 (TO-92) plastic package.

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PHE13003A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SC-43A, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PHE13003A 数据手册

PHE13003A

NPN power transistor

Rev.02 - 19 October 2021

Product data sheet

1. General description

High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor in a TO92 plastic

package.

2. Features and beneﬁts

•

Fast switching

•

High voltage capability

Very low switching and conduction losses

3. Applications

•

Compact ﬂuorescent lamps (CFL)

Electronic lighting ballasts

Inverters

Oﬀ-line self-oscillating power supplies

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Values

Unit

Absolute maximum rating

V_CESM

collector-emitter peak

V_BE= 0 V

700

voltage

I_C

DC; Fig. 1

collector current

P_tot

total power dissipation

T_lead≤ 25 °C; Fig. 2

Conditions

2.1

Symbol Parameter

Static characteristics

Min

Typ

Max

Unit

h_FE

DC current gain

I_C= 0.8 A; V_CE= 5 V; T_lead= 25 °C;

7.5

Fig. 8; Fig. 9

12 3 4 5 6 7...13

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