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PHE13002AU

更新时间： 2024-09-25 22:26:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 73K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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PHE13002AU 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：9
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PHE13002AU 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
PHE13002AU  
GENERAL DESCRIPTION  
High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in the SOT533 envelope intended for  
use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters and inverters, etc.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCBO  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
600  
600  
300  
1.5  
3
V
V
V
A
A
W
V
Collector-Base voltage (open emitter)  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
-
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
-
Ptot  
Tmb ≤ 25 ˚C  
-
50  
VCEsat  
hFE  
IC = 1.0 A;IB = 0.2 A  
IC = 1.0 A; VCE = 5 V  
IC = 1.0 A; IB1= 0.2 A  
0.27  
12  
56  
1.0  
19  
76  
tfi  
Fall time (Inductive)  
ns  
PINNING - SOT533  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
c
base  
2
collector  
emitter  
b
3
1
2
3
tab collector  
e
Top view  
MBK915  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
VCBO  
IC  
Collector to emitter voltage  
VBE = 0 V  
-
600  
300  
600  
1.5  
3
0.75  
1.5  
50  
150  
150  
V
V
Collector to emitter voltage (open base)  
Collector to base voltage (open emitter)  
Collector current (DC)  
-
-
V
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
-
A
IB  
IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
A
Base current peak value  
Total power dissipation  
-
-
A
Tmb ≤ 25 ˚C  
W
˚C  
˚C  
Storage temperature  
-65  
-
Junction temperature  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Junction to mounting base  
Junction to ambient  
-
2.5  
-
K/W  
K/W  
in free air  
70  
January 2000  
1
Rev 1.000  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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