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PH865C15

更新时间： 2024-11-12 10:13:31

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富士电机 - FUJI		二极管
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3页	72K
描述
High Voltage Schottky barrier diode

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PH865C15 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	PLASTIC, TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.76
应用：	HIGH VOLTAGE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	20 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	150 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

PH865C15 数据手册

(150V / 20A )

PH865C15 (20A)

[0401]

High Voltage Schottky barrier diode

Outline drawings, mm

Major characteristics

11.6±0.2

Characteristics PH865C15 Units Condition

V^RRM

V^F

150

0.90

Tc=25°C MAX.

Features

Low VF

High Voltage

Center tap connection

Connection diagram

Applications

High frequency operation

DC-DCconverters

AC adapter

Package : TO-247

Epoxy resin UL : V-0

Maximum ratings and characteristics

Absolute maximum ratings (at Tc=25°C Unless otherwise specified )

Symbol

V^RSM

VRRM

Conditions

Item

Rating

150

Unit

Repetitive peak surge reverse voltage

Repetitive peak reverse voltage

Average output current

tw=500ns, duty=1/40

150

Square wave, duty=1/2

Tc=108°C

Sine wave

10ms 1shot

IFSM

Non-repetitive surge current **

Operating junction temperature

Storage temperature

150

+150

°C

Tstg

-40 to +150

* Out put current of center tap full wave connection

**Rating per element

Electrical characteristics (at Tc=25°C Unless otherwise specified )

Item

Symbol

Max.

0.90

Unit

Conditions

I^FM=10A

Forward voltage drop

Reverse current

VR=VRRM

150

1.5

µA

Junction to case

Rth(j-c)

Thermal resistance

°C/W

Mechanical characteristics

Mounting torque

Recommended torque

0.4 to 0.6

4.9

N·m

Approximate mass

12 3

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