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PH865C12

更新时间： 2024-09-24 10:13:31

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富士电机 - FUJI		二极管
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3页	69K
描述
High Voltage Schottky barrier diode

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PH865C12 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.25
应用：	HIGH VOLTAGE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	120 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

PH865C12 数据手册

(120V / 20A )

PH865C12 (20A)

[0401]

High Voltage Schottky barrier diode

Outline drawings, mm

Major characteristics

11.6±0.2

Characteristics PH865C12 Units Condition

V^RRM

V^F

120

0.88

Tc=25°C MAX.

Features

Low VF

High Voltage

Center tap connection

Connection diagram

Applications

High frequency operation

DC-DCconverters

AC adapter

Package : TO-247

Epoxy resin UL : V-0

Maximum ratings and characteristics

Absolute maximum ratings (at Tc=25°C Unless otherwise specified )

Symbol

V^RSM

VRRM

Conditions

Item

Rating

120

Unit

Repetitive peak surge reverse voltage

Repetitive peak reverse voltage

Average output current

tw=500ns, duty=1/40

120

Square wave, duty=1/2

Tc=126°C

Sine wave

10ms 1shot

IFSM

Non-repetitive surge current **

Operating junction temperature

Storage temperature

150

+150

°C

Tstg

-40 to +150

* Out put current of center tap full wave connection

**Rating per element

Electrical characteristics (at Tc=25°C Unless otherwise specified )

Item

Symbol

Max.

0.88

Unit

Conditions

I^FM=10A

Forward voltage drop

Reverse current

VR=VRRM

150

1.5

µA

Junction to case

Rth(j-c)

Thermal resistance

°C/W

Mechanical characteristics

Mounting torque

Recommended torque

0.4 to 0.6

4.9

N·m

Approximate mass

12 3

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