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PH8030L,115

更新时间： 2024-09-25 04:08:31

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恩智浦 - NXP		/
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12页	95K
描述
PH8030L - N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin

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PH8030L,115 数据手册

PH8030L

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 01 — 6 February 2006

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology.

1.2 Features

■ Optimized for use in DC-to-DC

■ Very low switching and conduction

losses

converters

■ Logic level compatible

■ Lead-free package

1.3 Applications

■ DC-to-DC converters

■ Voltage regulators

■ Switched-mode power supplies

■ Notebook computers

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 30 V

■ I_D≤ 76.7 A

■ R_DSon≤ 5.9 mΩ

■ Q_GD= 3.1 nC (typ)

2. Pinning information

Table 1:

Pinning

Description

Simpliﬁed outline

Symbol

1, 2, 3

source (S)

gate (G)

mounting base; connected to drain (D)

mbb076

2 3 4

SOT669 (LFPAK)

12 3 4 5 6 7...12

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PH8030L,115 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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PH865C12	FUJI	获取价格	High Voltage Schottky barrier diode
PH865C15	FUJI	获取价格	High Voltage Schottky barrier diode
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PH868C15	FUJI	获取价格	High Voltage Schottky barrier diode