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PH5416-AMMO

更新时间: 2024-11-25 13:00:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 52K
描述
TRANSISTOR 1000 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal

PH5416-AMMO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.79
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):1 A
基于收集器的最大容量:15 pF集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):15 MHz
VCEsat-Max:0.8 VBase Number Matches:1

PH5416-AMMO 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PH5416  
PNP high-voltage transistor  
1997 Apr 22  
Product specification  
Supersedes data of September 1994  
File under Discrete Semiconductors, SC04  

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