Datasheet > PH2520U,115

PH2520U,115

更新时间： 2024-11-06 21:22:27

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	187K
描述
N-channel TrenchMOS ultra low level FET SOIC 4-Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PH2520U,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	PLASTIC, MO-235, LFPAK-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.21	雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0039 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-235
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	62.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PH2520U,115 数据手册

PH2520U

N-channel TrenchMOS ultra low level FET

Rev. 03 — 2 March 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Ultra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Higher operating power due to low

Low conduction losses due to low

thermal resistance

on-state resistance

Interfaces directly with low voltage

gate drivers

1.3 Applications

DC-to-DC convertors

Notebook computers

Portable equipment

Switched-mode power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 150 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 4.5 V;

see Figure 1; see Figure 3

100

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

62.5

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 50 A;

V_DS= 10 V; T_j= 25 °C;

see Figure 11; see Figure 12

Static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 4.5 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C; see Figure 9;

see Figure 10

2.1

2.7

mΩ

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

PH2520U,115 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PH2520U	NXP	类似代替	N-channel TrenchMOS ultra low level FET
HAT2160H	RENESAS	功能相似	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

与PH2520U,115相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PH2525L	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
PH2525L,115	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin
PH252SGB	ADAM-TECH	获取价格	Board Connector, 52 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal,
PH252SGBHT	ADAM-TECH	获取价格	Board Connector, 52 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal,
PH2-52-U-.305/.730-30-HT	ADAM-TECH	获取价格	Board Connector, 52 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Wire Wrap Termin
PH252UA	ADAM-TECH	获取价格	Board Connector, 52 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal,
PH252UBHT	ADAM-TECH	获取价格	HEADER CONNECTOR,PCB MNT,RECEPT,52 CONTACTS,PIN,0.1 PITCH,PC TAIL TERMINAL,
PH252WB	ADAM-TECH	获取价格	Board Connector, 52 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal,
PH252WBSMT	ADAM-TECH	获取价格	Board Connector, 52 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Receptacle
PH2-54-.118/.494	ADAM-TECH	获取价格	Board Connector, 54 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal,

与PH2520U,115相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PH2520U,115

PH2520U,115 技术参数

PH2520U,115 数据手册

PH2520U,115 替代型号

与PH2520U,115相关器件

与PH2520U,115相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PH2520U,115

PH2520U,115 技术参数

PH2520U,115 数据手册

PH2520U,115 替代型号

与PH2520U,115相关器件

与PH2520U,115相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？