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PG12FBUSV PDF预览

PG12FBUSV

更新时间： 2024-09-18 10:13:43
品牌 Logo 应用领域
KEC 二极管电视电子便携式
页数 文件大小 规格书
2页 35K
描述
TVS Diode Array for ESD Protection in Portable Electronics

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PG12FBUSV 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.73最小击穿电压：13.3 V
配置：COMMON ANODE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G5
最大非重复峰值反向功率耗散：200 W元件数量：4
端子数量：5最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：12 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

PG12FBUSV 数据手册

 浏览型号PG12FBUSV的Datasheet PDF文件第2页 
PG12FBUSV  
SEMICONDUCTOR  
TVS Diode Array for ESD  
TECHNICAL DATA  
Protection in Portable Electronics  
Protection in Portable Electronics Applications.  
B
FEATURES  
B1  
200 Watts peak pulse power (tp=8/20 s)  
Transient protection for data lines to  
IEC 61000-4-2(ESD) 15kV(Air), 8kV(Contact)  
IEC 61000-4-4(EFT) 40A(tp=5/50ns)  
IEC 61000-4-5(Lightning) 8A(tp=8/20 s)  
Protects four I/O lines.  
1
2
3
5
4
DIM MILLIMETERS  
_
+
2.00 0.20  
A
A1  
B
_
+
1.3 0.1  
_
+
2.1 0.1  
D
_
1.25+0.1  
B1  
C
0.65  
D
0.2+0.10/-0.05  
G
0-0.1  
_
+
H
0.9 0.1  
T
0.15+0.1/-0.05  
Low clamping voltage.  
T
Low operating and leakage current.  
Small package for use in protable electronics.  
G
1. (TVS) D1  
2. COMMON ANODE  
3. (TVS) D2  
APPLICATIONS  
4. (TVS) D3  
5. (TVS) D4  
Cellular Phone Handsets and Accessories.  
Cordless Phones.  
Personal Digital Assistants (PDA’s)  
Notebooks, desktops PC, & servers.  
Portable Instrumentation.  
Set-Top Box, DVD Player.  
Digital Camera.  
USV  
Marking  
5
4
Lot No.  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
SYMBOL  
RATING  
200  
UNIT  
W
Type Name  
2F  
PPK  
IPP  
Tj  
Peak Pulse Power (tp=8/20 s)  
Peak Pulse Current (tp=8/20 s)  
Operating Temperature  
8
A
-55 150  
-55 150  
1
2
3
Tstg  
Storage Temperature  
5
4
3
D4  
D3  
D2  
D1  
1
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Reverse Stand-Off Voltage  
Reverse Breakdown Voltage  
Reverse Leakage Current  
SYMBOL  
VRWM  
VBR  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
V
-
-
-
-
-
-
-
12  
-
It=1mA  
13.3  
V
IR  
VRWM=12V  
-
-
-
1
A
19  
25  
IPP=1A, tp=8/20 s  
IPP=8A, tp=8/20 s  
VC  
CJ  
Clamping Voltage  
V
VR=0V, f=1MHz  
Between I/O Pins and GND  
Junction Capacitance  
-
60  
75  
pF  
2008. 9. 10  
Revision No : 2  
1/2  
12

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