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PG03FBESC PDF预览

PG03FBESC

更新时间： 2024-10-30 10:13:43
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KEC 二极管电视光电二极管电子便携式局域网
页数 文件大小 规格书
2页 391K
描述
TVS Diode for ESD Protection in Portable Electronics

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PG03FBESC 技术参数

生命周期：Not Recommended包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.77最大击穿电压：6.2 V
最小击穿电压：4.2 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2最大非重复峰值反向功率耗散：50 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性：BIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：3.3 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

PG03FBESC 数据手册

 浏览型号PG03FBESC的Datasheet PDF文件第2页 
PG03FBESC  
SEMICONDUCTOR  
TVS Diode for ESD  
TECHNICAL DATA  
Protection in Portable Electronics  
Protection in Portable Electronics Applications.  
C
E
FEATURES  
1
50 Watts peak pulse power (tp=8/20 s)  
Transient protection for data lines to  
IEC 61000-4-2(ESD) 15kV(Air), 8kV(Contact)  
IEC 61000-4-4(EFT) 40A(tp=5/50ns)  
IEC 61000-4-5(Lightning) 5A(tp=8/20 s)  
Bidirectional Type Pin Configuration Structure.  
Small package for use in portable electronics.  
Suitable replacement for Multi-Layer Varistors in ESD protection applications.  
Protects one I/O or power line.  
2
D
F
DIM MILLIMETERS  
_
A
B
C
D
E
F
1.60+0.10  
_
1.20+0.10  
_
0.80+0.10  
_
+
0.30 0.05  
_
Low clamping voltage.  
+
0.60 0.10  
1. ANODE  
2. ANODE  
_
+
0.13 0.05  
Low leakage current.  
APPLICATIONS  
Cell phone handsets and accessories.  
Microprocessor based equipment.  
Personal digital assistants (PDA’s)  
Notebooks, desktops, & servers.  
Portable instrumentation.  
ESC  
Pagers peripherals.  
Marking  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
2
1
SYMBOL  
RATING  
50  
UNIT  
W
3B  
PPK  
Tj  
Peak Pulse Power (tp=8/20 s)  
Junction Temperature  
-55 150  
-55 150  
Tstg  
Storage Temperature  
2
1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Reverse Stand-Off Voltage  
Reverse Breakdown Voltage  
Reverse Leakage Current  
Junction Capacitance  
SYMBOL  
VRWM  
VBR  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
3.3  
UNIT  
V
-
-
4.2  
-
-
-
-
-
It=1mA  
6.2  
V
IR  
VRWM=3.3V  
VR=0V, f=1MHz  
20  
A
CJ  
-
80  
pF  
2006. 11. 8  
Revision No : 3  
1/2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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