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BZV55C18

更新时间: 2024-01-03 18:20:46
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3页 284K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

BZV55C18 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.33
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2膝阻抗最大值:170 Ω
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:18 V最大反向电流:0.1 µA
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
电压温度Coeff-Max:19.8 mV/ °C工作测试电流:5 mA

BZV55C18 数据手册

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BZV55 Series  
SILICON PLANAR ZENER DIODES  
Applications  
• Low voltage stabilizers or voltage references  
LL-34  
Features  
• Total power dissipation: max. 500 mW  
• Two tolerance series: ± 2% and approx. ± 5%  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Symbol  
Value  
500 1)  
Unit  
mW  
Power Dissipation  
Ptot  
O
C
Junction and Storage Temperature Range  
Tj,TS  
- 65 to + 200  
1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.  
O
Characteristics at Ta = 25 C  
Parameter  
Symbol  
RthA  
Max.  
0.3 1)  
Unit  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
K/mW  
Forward Voltage  
at IF = 10 mA  
VF  
0.9  
V
1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.  
Web Site:  
WWW.PS-PFS.COM  

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