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PF48F4000P0ZBQ0

更新时间： 2024-02-22 07:14:55

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恒忆 - NUMONYX		存储内存集成电路
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描述
Numonyx StrataFlash Embedded Memory

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PF48F4000P0ZBQ0 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	8 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, SCSP-88	针数：	88
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.6
最长访问时间：	88 ns	其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块：	BOTTOM	JESD-30 代码：	R-PBGA-B88
长度：	11 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	88
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

PF48F4000P0ZBQ0 数据手册

Numonyx™ StrataFlash Embedded Memory

(P30)

Datasheet

Product Features

High performance

Security

— One-Time Programmable Registers:

— 85 ns initial access

• 64 unique factory device identifier bits

• 2112 user-programmable OTP bits

— Selectable OTP Space in Main Array:

• Four pre-defined 128-KByte blocks (top or bottom

configuration)

— 52 MHz with zero wait states, 17ns clock-to-data output

synchronous-burst read mode

— 25 ns asynchronous-page read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode

— Buffered Enhanced Factory Programming (BEFP) at 5 μs/

byte (Typ)

• Up to Full Array OTP Lockout

— Absolute write protection: V = V

— 1.8 V buffered programming at 7 μs/byte (Typ)

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down

Architecture

— Multi-Level Cell Technology: Highest Density at Lowest

Cost

Software

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or bottom

configuration

— 20 μs (Typ) program suspend

— 20 μs (Typ) erase suspend

— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized

— Basic Command Set and Extended Command Set

compatible

— 128-KByte main blocks

Voltage and Power

— V (core) voltage: 1.7 V – 2.0 V

— Common Flash Interface capable

— V

(I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V

CCQ

Density and Packaging

— Standby current: 20μA (Typ) for 64-Mbit

— 4-Word synchronous read current:

13 mA (Typ) at 40 MHz

— 56- Lead TSOP package (64, 128, 256,

512- Mbit)

— 64- Ball Numonyx™ Easy BGA package (64,

128, 256, 512- Mbit)

— Numonyx™ QUAD+ SCSP (64, 128, 256,

512- Mbit)

Quality and Reliability

— Operating temperature: –40 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ VIII process technology

— 16-bit wide data bus

Order Number: 306666-11

November 2007

12 3 4 5 6 7...99

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PF48F4000P0ZBQ0A	NUMONYX	获取价格	Flash, 16MX16, 88ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, SCSP-88
PF48F4000P0ZBQ0A	MICRON	获取价格	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
PF48F4000P0ZBQE	NUMONYX	获取价格	Flash, 32MX16, PBGA88, 8 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, SCSP-88
PF48F4000P0ZBQEA	NUMONYX	获取价格	Flash, 32MX16, PBGA88, 8 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, SCSP-88
PF48F4000P0ZBQEA	MICRON	获取价格	1.7V to 2.0V VCC (core) voltage, 1.7V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage
PF48F4000P0ZBQEF	MICRON	获取价格	256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm
PF48F4000P0ZBTQE	MICRON	获取价格	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
PF48F4000P0ZTQ0	NUMONYX	获取价格	Numonyx StrataFlash Embedded Memory
PF48F4000P0ZTQ0	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F4000P0ZTQ0A	NUMONYX	获取价格	Flash, 16MX16, 88ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, SCSP-88

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