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PF38F4050M0Y1Q0

更新时间： 2024-09-24 15:47:47

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
69页	960K
描述
Memory Circuit, Flash+PSRAM, 64MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, SCSP-88

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PF38F4050M0Y1Q0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA107,9X12,32
针数：	88	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.26
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	FLASH IS ALSO ORGANIZED AS 32M X 16 AND 64M X 16, PSEUDO SRAM IS ORGANIZED AS 4M X 16 OR 8M X 16	JESD-30 代码：	R-PBGA-B88
JESD-609代码：	e1	长度：	10 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	混合内存类型：	FLASH+PSRAM
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	88	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	64MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA107,9X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00025 A	子类别：	Other Memory ICs
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

PF38F4050M0Y1Q0 数据手册

Intel StrataFlash Cellular Memory

(M18 SCSP)

2048-Mbit M18 Family with Synchronous PSRAM

Datasheet

Product Features

Device Architecture

Flash Performance

— Flash Die Density: 256, 512 Mbit, or 1 Gbit

— PSRAM Die Density: 64 or 128 Mbit

— x16 Non-Mux or AD-Mux I/O Interface

Options

— 96 ns Initial Read Access;

15 ns Asynchronous Page-Mode Read

— Up to 133 MHz with 5.5 ns Clock-to-Data

Output Synchronous Burst-Mode Read

— Buffered Enhanced Factory and 1.8 V Low-

Power Buffer Programming Modes:

2 µs/Byte (Typ)

Device Voltage

— Core: V_CC= 1.8 V

— I/O: V_CCQ= 1.8 V

Device Packaging

— Ballout: x16C with 107 Active Balls or

QUAD+ with 88 Active Balls

— Area: 8x10 mm to 11x13 mm

— Height: 1.2 mm to 1.4 mm

PSRAM Performance

— Deep Power-Down Mode: 2 µA (Typ)

— Configurable Output Driver

Flash Architecture

— Multi-Level Cell Technology

— Hardware Read-While-Program/Erase

— Symmetrically Blocked Array

— Eight Partitions

— Configurable 8-, 16-, or Continuous-Words

Burst Length Reads

— 70 ns Initial Read Access;

20 ns Asynchronous Page-Mode Read

— Up to 104 MHz with 7 ns Clock-to-Output

Synchronous Burst-Mode Reads

— Configurable 4-, 8-, 16- and Continuous-

Word Burst-Length Reads and Writes

— Partial-Array and Temperature-

Compensated Self Refresh

— 2-Kbit One-Time Programmable User

Protection Register Bits

— Zero-Latency Block Locking

— Automated Blank Check Mode

Flash Software

— Programmable Output Impedance

Quality and Reliability

— Intel^®FDI and Intel^®PSM

— Common Flash Interface

— Extended Temperature –25 °C to +85 °C

— Minimum 100K Flash Block Erase Cycles

— Basic and Extended Flash Command Set

— ETOX™ IX (Flash) Technology on 256 Mbit

and 512 Mbit M18 die, and ETOX™ X (Flash)

Technology on 1 Gbit M18 die

Order Number: 307654-005US

November 2006

12 3 4 5 6 7...69

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