PF08134B

更新时间： 2024-09-17 21:53:47

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瑞萨 - RENESAS		射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器分布式控制系统 GSM DCS 电话
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MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone

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PF08134B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOLCC8,.3,47	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
其他特性：	IT CAN ALSO OPERATE AT 1710 TO 1785 MHZ AND 1850 TO 1910 MHZ	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	最大输入功率 (CW)：	10 dBm
JESD-609代码：	e0	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	2	端子数量：	8
最大工作频率：	849 MHz	最小工作频率：	824 MHz
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-30 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SOLCC8,.3,47
电源：	3.5 V	射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	最大电压驻波比：	3
Base Number Matches：	1

PF08134B 数据手册

PF08134B

MOS FET Power Amplifier Module

for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone

REJ03G0075-0101Z

Rev.1.01

May 13, 2004

Application

•

Triple band amplifier for

GSM850 (824 MHz to 849 MHz) and DCS1800/1900 (1710 MHz to 1785 MHz, 1850 MHz to 1910 MHz).

For 3.5 V & GPRS Class12 operation compatible

•

Features

•

All in one including output matching circuit

Simple external circuit

Simple power control

High gain 3stage amplifier : 0 dBm input Typ

Lead less thin & Small package : 8.0 × 10.0 × 1.5 mm Max

High efficiency

 47% Typ at 33.5 dBm for GSM850

 47% Typ at 32.5 dBm for DCS1800

 47% Typ at 32.0 dBm for DCS1900

Pin Arrangement

• RF-Q-8

1: Pin _GSM

2: Vapc

3: Vdd1

4: Pout _GSM

5: Pout _DCS& Pout _PCS

6: Vdd2

7: Vctl

8: Pin _DCS& Pin _PCS

G: GND

Rev.1.01, May 13, 2004, page 1 of 13

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