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PF04115B

更新时间： 2024-09-17 19:32:35

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瑞萨 - RENESAS		高功率电源放大器射频微波功率放大器
页数	文件大小	规格书
10页	51K
描述
1850MHz - 1910MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER, RF-K2, 6 PIN

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PF04115B 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.17	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	最大输入功率 (CW)：	10 dBm
最大工作频率：	1910 MHz	最小工作频率：	1850 MHz
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-30 °C
射频/微波设备类型：	NARROW BAND HIGH POWER	最大电压驻波比：	3
Base Number Matches：	1

PF04115B 数据手册

PF04115B

MOS FET Power Amplifier Module

for PCS 1900 Handy Phone

ADE-208-808A (Z)

2nd Edition

Jan. 2001

Application

For PCS 1900 class1 1850 MHz to 1910 MHz.

Features

•

3stage amplifier : 0 dBm input

Small package : 0.2 cc

High efficiency : 42 % Typ at 32.5 dBm

Wide gain control range : 70 dB Typ

Low voltage operation : 3.5 V

Pin Arrangement

1: Pin

• RF-K2

2: Vapc

3: Vdd

4: Pout

G: GND

Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)

Item

Symbol

V_DD

Rating

Unit

Supply voltage

Supply current

V_APCvoltage

I_DD

V_APC

Input power

dBm

°C

Operating case temperature

Storage temperature

Output power

Tc (op)

Tstg

Pout

−30 to +100

34.7

°C

dBm

12 3 4 5 6 7...10

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