PF01412A

更新时间： 2024-11-12 22:26:39

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MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone

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PF01412A 数据手册

PF01412A

MOS FET Power Amplifier Module

for E-GSM Handy Phone

ADE-208-477B (Z)

3rd Edition

February 1997

Application

•

For GSM class4 890 to 915 MHz

For 5.5V nominal DC/DC converter use

Features

•

High gain 3stage amplifier : 0 dBm input

Lead less thin & Small package : 2 mm Max, 0.2cc

High efficiency : 45% Typ at 3.8 W

Wide gain control range : 90 dB Typ

Pin Arrangement

• RF-K

1: Pin

2: Vapc

3: Vdd

4: Pout

G: GND

Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)

Item

Symbol

V_DD

Rating

Unit

Supply voltage

Supply current

V_APCvoltage

I_DD

V_APC

Input power

°C

Operating case temperature

Storage temperature

Output power

Tc (op)

Tstg

Pout

–30 to +100

12 3 4

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