是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PBCC-N6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.79 | Is Samacsys: | N |
最大击穿电压: | 5.88 V | 最小击穿电压: | 5.32 V |
配置: | COMMON ANODE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码: | MO-252 |
JESD-30 代码: | R-PBCC-N6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 30 W |
元件数量: | 4 | 端子数量: | 6 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大重复峰值反向电压: | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PESD3V3L4UF,115 | NXP |
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PESDxL4UF; PESDxL4UG; PESDxL4UW - Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection | |
PESD3V3L4UF-T4 | NXP |
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TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE ARRAY,UNIDIRECTIONAL,3.3V V(RWM),LLCC | |
PESD3V3L4UG | NXP |
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Low capacitance quadruple ESD protection diode array in SOT353 package | |
PESD3V3L4UG | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arraysProduction | |
PESD3V3L4UG,115 | NXP |
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PESDxL4UF; PESDxL4UG; PESDxL4UW - Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection | |
PESD3V3L4UG-T1 | NXP |
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TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE ARRAY,UNIDIRECTIONAL,3.3V V(RWM),SOT-353 | |
PESD3V3L4UW | NXP |
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Low capacitance quadruple ESD protection array | |
PESD3V3L4UW | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arraysProduction | |
PESD3V3L4UW,115 | NXP |
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PESDxL4UF; PESDxL4UG; PESDxL4UW - Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection | |
PESD3V3L4UWT/R | NXP |
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TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE ARRAY,UNIDIRECTIONAL,3.3V V(RWM),SOT-665 |