PESD3V3L2BT

更新时间： 2024-09-25 21:53:31

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		二极管
页数	文件大小	规格书
14页	178K
描述
Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PESD3V3L2BT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.43
其他特性：	ULTRA LOW LEAKAGE CURRENT	最大击穿电压：	6.9 V
最小击穿电压：	5.8 V	击穿电压标称值：	6.4 V
最大钳位电压：	26 V	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	350 W	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	BIDIRECTIONAL	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	3.3 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

PESD3V3L2BT 数据手册

PESDxL2BT series

Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes

in SOT23

Rev. 01 — 1 November 2005

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Low capacitance double bidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diodes in a

SOT23 small Surface Mounted Device (SMD) plastic package designed to protect two

signal lines from the damage caused by ESD and other transients.

1.2 Features

■ ESD protection of two lines

■ Ultra low leakage current: I_RM< 90 nA

■ ESD protection up to 23 kV

■ IEC 61000-4-2, level 4 (ESD)

■ IEC 61000-4-5 (surge); I_PP= 15 A

■ Max. peak pulse power: P_PP= 350 W

■ Low clamping voltage: V_CL= 26 V

■ Small SMD plastic package

1.3 Applications

■ Computers and peripherals

■ Audio and video equipment

■ Cellular handsets and accessories

■ Communication systems

■ Portable electronics

■ Subscriber Identity Module (SIM) card

protection

1.4 Quick reference data

Table 1:

Symbol

V_RWM

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

reverse standoff voltage

PESD3V3L2BT

PESD5V0L2BT

PESD12VL2BT

PESD15VL2BT

PESD24VL2BT

diode capacitance

3.3

5.0

C_d

V_R= 0 V;

f = 1 MHz

PESD3V3L2BT

PESD5V0L2BT

PESD12VL2BT

PESD15VL2BT

PESD24VL2BT

101

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

PESD3V3L2BT 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PESD3V3L2BT,215	NXP	功能相似	PESDxL2BT series - Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23 TO-

与PESD3V3L2BT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PESD3V3L2BT,215	NXP	获取价格	PESDxL2BT series - Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23 TO-
PESD3V3L2BT-Q	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance double bidirectional ESD protection diode in SOT23Production
PESD3V3L2UM	NXP	获取价格	Low capacitance double ESD protection diode
PESD3V3L2UM	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance double ESD protection diodeProduction
PESD3V3L2UM,315	NXP	获取价格	PESDxL2UM series - Low capacitance double ESD protection diode DFN 3-Pin
PESD3V3L4BHC	NEXPERIA	获取价格	4-fold bidirectional ESD protection arrayProduction
PESD3V3L4UF	NXP	获取价格	Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
PESD3V3L4UF	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arraysProduction
PESD3V3L4UF,115	NXP	获取价格	PESDxL4UF; PESDxL4UG; PESDxL4UW - Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection
PESD3V3L4UF-T4	NXP	获取价格	TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE ARRAY,UNIDIRECTIONAL,3.3V V(RWM),LLCC

与PESD3V3L2BT相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

9
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

8
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

12
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

19

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PESD3V3L2BT

PESD3V3L2BT 技术参数

PESD3V3L2BT 数据手册

PESD3V3L2BT 替代型号

与PESD3V3L2BT相关器件

与PESD3V3L2BT相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PESD3V3L2BT

PESD3V3L2BT 技术参数

PESD3V3L2BT 数据手册

PESD3V3L2BT 替代型号

与PESD3V3L2BT相关器件

与PESD3V3L2BT相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？