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PEMH1,115 PDF预览

PEMH1,115

更新时间: 2024-02-27 10:00:04
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 65K
描述
PEMH1; PUMH1 - NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 kΩ, R2 = 22 kΩ SOT 6-Pin

PEMH1,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT包装说明:PLASTIC PACKAGE-6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.28
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):60JESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:6
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PEMH1,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PEMH1; PUMH1  
NPN/NPN resistor-equipped  
transistors; R1 = 22 kΩ, R2 = 22 kΩ  
Product data sheet  
2003 Oct 08  
Supersedes data of 2001 Oct 22  

PEMH1,115 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

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