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PDZ6.8B

更新时间: 2024-11-19 22:26:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 稳压二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 67K
描述
Voltage regulator diodes

PDZ6.8B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-76
包装说明:R-PDSO-G2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.22
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.8 V最大反向电流:0.5 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30电压温度Coeff-Max:3.4 mV/ °C
最大电压容差:2%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

PDZ6.8B 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PDZ-B series  
Voltage regulator diodes  
1998 Apr 23  
Product specification  
Supersedes data of 1998 Jan 09  

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