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PDZ6.8B PDF预览

PDZ6.8B

更新时间： 2024-11-21 11:10:55
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 251K
描述
Single Zener diodesProduction

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PDZ6.8B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.69Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.4 W参考标准：IEC-60134
标称参考电压：6.8 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30最大电压容差：2%
工作测试电流：5 mABase Number Matches：1

PDZ6.8B 数据手册

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PDZ-B series  
Single Zener diodes  
Rev. 5 — 21 December 2022  
Product data sheet  
1. General description  
Low-power general purpose voltage regulator diodes in a very small SOD323 (SC-76) Surface-  
Mounted Device (SMD) plastic package.  
2. Features and benefits  
•
Total power dissipation: Ptot ≤ 400 mW  
•
•
•
•
Small plastic package suitable for surface mounted design  
Wide variety of voltage ranges: nominal 2.4 V to 36 V (E24 range)  
Tolerance approximately ± 2 %  
PDZ5.1B - 10B: Very low dynamic impedances at low currents, very low leakage current, hard  
breakdown knee  
3. Applications  
•
General voltage regulation  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
IF = 10 mA  
Tamb ≤ 25 °C  
Min  
Typ  
Max  
0.9  
Unit  
V
VF  
forward voltage  
[1]  
[2]  
-
-
-
-
Ptot  
total power dissipation  
400  
mW  
[1] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.  
[2] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint.  
 
 
 
 
 
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