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PDTB143ET

更新时间: 2024-11-26 01:14:39
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
18页 2536K
描述
500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors

PDTB143ET 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.68
其他特性:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):60JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP参考标准:AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):140 MHzBase Number Matches:1

PDTB143ET 数据手册

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PDTB1xxxT series  
500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors  
Rev. 1 — 13 May 2014  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a small SOT23 (TO-236AB)  
Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.  
Table 1.  
Product overview  
Type number  
Package  
NPN  
Package  
complement  
configuration  
Nexperia JEITA  
JEDEC  
PDTB143ET  
PDTB143XT  
PDTB114ET  
SOT23  
TO-236AB  
-
PDTD143ET  
PDTD143XT  
PDTD114ET  
small  
1.2 Features  
500 mA output current capability  
Built-in bias resistors  
10 % resistor ratio tolerance  
AEC-Q101 qualified  
Simplifies circuit design  
Reduces component count  
High temperature applications  
up to 175 °C  
1.3 Applications  
IC inputs control  
Switching loads  
Cost-saving alternative to BC807 or  
BC817 series transistors in digital  
applications  

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