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PDM42205L15G

更新时间: 2024-01-18 21:25:35
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其他 - ETC 内存集成电路先进先出芯片时钟
页数 文件大小 规格书
15页 990K
描述
x18 Synchronous FIFO

PDM42205L15G 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:QCCJ, LDCC68,1.0SQ
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:9 ns
其他特性:RETRANSMIT最大时钟频率 (fCLK):66.7 MHz
周期时间:15 nsJESD-30 代码:S-PQCC-J68
JESD-609代码:e0内存密度:4608 bit
内存集成电路类型:OTHER FIFO内存宽度:18
功能数量:1端子数量:68
字数:256 words字数代码:256
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256X18
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC68,1.0SQ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.075 A
子类别:FIFOs最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

PDM42205L15G 数据手册

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