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PDM41024L25L32I

更新时间: 2024-02-19 05:33:07
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 315K
描述
x8 SRAM

PDM41024L25L32I 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:25 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XQCC-N32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC32,.45X.55封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.17 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD

PDM41024L25L32I 数据手册

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