PD55035

更新时间： 2024-02-01 23:19:29

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体射频场效应晶体管光电二极管放大器
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RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

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PD55035 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2	针数：	10
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	165 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	95 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PD55035 数据手册

PD55035

PD55035S

RF POWER TRANSISTORS

The LdmoST Plastic FAMILY

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL

MOSFETs

• EXCELLENT THERMAL STABILITY

• COMMON SOURCE CONFIGURATION

• P

= 35 W with 16.9 dB gain @ 500 MHz /

OUT

12.5 V

PowerSO-10RF

(formed lead)

• NEW RF PLASTIC PACKAGE

DESCRIPTION

ORDER CODE

BRANDING

PD55035

The PD55035 is a common source N-Channel,

enhancement-mode lateral Field-Effect RF power

transistor. It is designed for high gain, broad band

commercial and industrial applications. It operates

at 12 V in common source mode at frequencies of

up to 1 GHz. PD55035 boasts the excellent gain,

linearity and reliability of ST’s latest LDMOS

technology mounted in the first true SMD plastic

RF power package, PowerSO-10RF. PD55035’s

superior linearity performance makes it an ideal

solution for car mobile radio.

The PowerSO-10 plastic package, designed to

offer high reliability, is the first ST JEDEC

approved, high power SMD package. It has been

specially optimized for RF needs and offers

excellent RF performances and ease of assembly.

PowerSO-10RF

(straight lead)

ORDER CODE

PD55035S

BRANDING

PD55035S

Mounting recommendations are available in

www.st.com/rf/ (look for application note AN1294)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25 ^°C)

CASE

Symbol

Parameter

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

(BR)DSS

± 20

Power Dissipation (@ Tc = 70°C)

Max. Operating Junction Temperature

Storage Temperature

°C

DISS

165

STG

-65 to +150

THERMAL DATA

th(j-c)

Junction -Case Thermal Resistance

1.0

°C/W

March, 21 2003

1/14

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PD55035S	STMICROELECTRONICS	功能相似	RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PD55035-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
PD55035S	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
PD55035S-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
PD55035STR1-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	35 W, 12.5 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
PD55035STR-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
PD55035TR-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
PD551BA	NIKOSEM	获取价格	TO-252
PD557	TI	获取价格	REMOTE 8-BIT I2C AND SMBus LOW-POWER I/O EXPANDER WITH RESET AND CONFIGURATION REGISTERS
PD55F120	SANREX	获取价格	THYRISTOR MODULE
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