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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> PD55025STR-E
PD55025STR-E PDF预览

PD55025STR-E

更新时间： 2024-02-01 21:44:38
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体射频场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
13页 291K
描述
25W 12.5V 500MHz LDMOS in powerSO-10RF plastic package

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PD55025STR-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：PLASTIC, POWERSO-10RF, 2 PIN
针数：10Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：2.15
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：7 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：165 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PD55025STR-E 数据手册

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PD55025  
PD55025S  
RF POWER TRANSISTORS  
The LdmoST Plastic FAMILY  
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL  
MOSFETs  
• EXCELLENT THERMAL STABILITY  
• COMMON SOURCE CONFIGURATION  
• P  
= 25 W with 14.5 dB gain @ 500 MHz /  
OUT  
12.5 V  
PowerSO-10RF  
(formed lead)  
• NEW RF PLASTIC PACKAGE  
DESCRIPTION  
ORDER CODE  
BRANDING  
PD55025  
PD55025  
The PD55025 is a common source N-Channel,  
enhancement-mode lateral Field-Effect RF power  
transistor. It is designed for high gain, broad band  
commercial and industrial applications. It operates  
at 12 V in common source mode at frequencies of  
up to 1 GHz. PD55025 boasts the excellent gain,  
linearity and reliability of ST’s latest LDMOS  
technology mounted in the first true SMD plastic  
RF power package, PowerSO-10RF. PD55025’s  
superior linearity performance makes it an ideal  
solution for car mobile radio.  
The PowerSO-10 plastic package, designed to  
offer high reliability, is the first ST JEDEC  
approved, high power SMD package. It has been  
specially optimized for RF needs and offers  
excellent RF performances and ease of assembly.  
PowerSO-10RF  
(straight lead)  
ORDER CODE  
PD55025S  
BRANDING  
PD55025S  
Mounting recommendations are available in  
www.st.com/rf/ (look for application note AN1294)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C)  
CASE  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
40  
(BR)DSS  
V
± 20  
V
GS  
I
D
7
79  
A
P
Power Dissipation (@ Tc = 70°C)  
Max. Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
W
°C  
°C  
DISS  
Tj  
165  
T
STG  
-65 to +150  
THERMAL DATA  
R
th(j-c)  
Junction -Case Thermal Resistance  
1.2  
°C/W  
March, 21 2003  
1/13  
1234567...13

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PD55025STR-E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PD55025-E STMICROELECTRONICS

完全替代

 RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
PD55025S-E STMICROELECTRONICS

功能相似

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