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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | POWER, PLASTIC, SO-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.88 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 165 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 79 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PD55025 | STMICROELECTRONICS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
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