5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERSO-10RF, 2 PIN |
| 针数： | 10 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 25 weeks |
| 风险等级： | 2.15 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 165 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 79 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PD55025STR-E | STMICROELECTRONICS |
完全替代  |
25W 12.5V 500MHz LDMOS in powerSO-10RF plastic package |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PD55025-E_10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
|
| PD55025S | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
|
| PD55025S-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
|
| PD55025STR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
25W 12.5V 500MHz LDMOS in powerSO-10RF plastic package |
|
| PD55025TR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
25W 12.5V 500MHz LDMOS，powerSO-10RF塑料封装 |
|
| PD55035 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
|
| PD55035-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
|
| PD55035S | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
|
| PD55035S-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
|
| PD55035STR1-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
35 W, 12.5 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
